Силовые транзисторы MOSFET (МОП-транзисторы)
Мы предлагаем широкий ассортимент мощных МОП-транзисторов с диапазоном напряжений от -100 до 1700 В, IGBT-транзисторов (БТИЗ) с напряжением пробоя от 300 до 1700 В и силовых биполярных транзисторов с диапазоном от 15 до 1700 В. Эта инновационная технология занимает центральное место в широком спектре применений, включая бытовую электронику, источники питания, DC-DC преобразователи, контроллеры двигателей, радиочастотные (РЧ) приложения, транспортные технологии и автомобильную электронику. В нашем ассортименте продукции вы найдете надежные решения для всех основных задач, с которыми сталкиваются проектировщики и производители в различных приложениях.
Силовые транзисторы MOSFET (Metal–Oxide Semiconductor Field-Effect Transistors) — это полевые транзисторы с изолированным затвором, предназначенные для работы в схемах управления мощностью, ключевых элементах преобразования и коммутации. Они способны переключать токи до десятков ампер и выдерживать напряжения в диапазоне от нескольких десятков до тысячи вольт.
Наш ассортимент продукции в сочетании с современной упаковкой (дискретной и модульной), а также средства защиты, обеспечивающие высокую надежность и безопасность, помогают разработчикам находить правильные решения для индивидуальных, высокоэффективных приложений, которые прослужат долгий срок службы.
Широкополосный транзистор
МОП-транзисторы SiC напряжением 650 В - 2200 В, дополненные GaN-транзисторами напряжением 100 В, 650 В и 900 В, обеспечивают повышенную энергоэффективность, меньший размер, меньший вес, меньшую стоимость всей системы.
Силовой МОП-транзистор
Широкий диапазон пробивных напряжений от -100 В до 1700 В, низкий заряд затвора и низкое сопротивление открытого канала в сочетании с современной компоновкой.
Модуль IGBT
Напряжение пробоя от 300 В до 1700 В. Низкое VCE(SAT) для снижения потерь проводимости.
Улучшенный разброс энергии при отключении по сравнению с ростом температуры.
МОП-транзисторы SiC напряжением 650 В - 2200 В, дополненные GaN-транзисторами напряжением 100 В, 650 В и 900 В, обеспечивают повышенную энергоэффективность, меньший размер, меньший вес, меньшую стоимость всей системы.
Силовой МОП-транзистор
Широкий диапазон пробивных напряжений от -100 В до 1700 В, низкий заряд затвора и низкое сопротивление открытого канала в сочетании с современной компоновкой.
Модуль IGBT
Напряжение пробоя от 300 В до 1700 В. Низкое VCE(SAT) для снижения потерь проводимости.
Улучшенный разброс энергии при отключении по сравнению с ростом температуры.
Ключевые параметры
- RDS(on)— сопротивление открытого канала, которое определяет потери мощности и нагрев: чем ниже, тем выше эффективность.
- VDSS — максимальное напряжение «сток–исток», требующее резервирования ~20 % при выборе компонента.
- ID — максимальный непрерывный ток. В импульсных режимах возможно кратковременно превышение этого значения.
Структуры и технологии
MOSFET изготавливаются по технологии Trench или planar. Новые конструкции Trench снижают заряд затвора и улучшают высокочастотные характеристики. Структуры HEXFET представляют собой множество ячеек в гексагональной конфигурации, что позволяет получать очень низкое RDS(on) при высоких токах.
MOSFET изготавливаются по технологии Trench или planar. Новые конструкции Trench снижают заряд затвора и улучшают высокочастотные характеристики. Структуры HEXFET представляют собой множество ячеек в гексагональной конфигурации, что позволяет получать очень низкое RDS(on) при высоких токах.
Преимущества и ограничения
Силовые MOSFET-ы обладают высокой скоростью переключения и простотой управления сигналом затвора (напряжением), при этом обеспечивают низкие потери рассеяния. Однако при сравнении с IGBT огрaничения возникают при мощностях выше ~300–500 Вт и частотах до 20–30 кГц; здесь IGBT имеют преимущество.
Силовые MOSFET-ы обладают высокой скоростью переключения и простотой управления сигналом затвора (напряжением), при этом обеспечивают низкие потери рассеяния. Однако при сравнении с IGBT огрaничения возникают при мощностях выше ~300–500 Вт и частотах до 20–30 кГц; здесь IGBT имеют преимущество.
Корпусное исполнение и теплоотвод
Используются разные корпуса: TO-220, TO-247, D2PAK, SOIC, CSP, BGA. Инновационные форматы DirectFET и PolarPAK обеспечивают лучшую теплопроводность и снижают тепловое сопротивление, что позволяет повысить плотность тока и долговечность устройства.
Используются разные корпуса: TO-220, TO-247, D2PAK, SOIC, CSP, BGA. Инновационные форматы DirectFET и PolarPAK обеспечивают лучшую теплопроводность и снижают тепловое сопротивление, что позволяет повысить плотность тока и долговечность устройства.
Области применения
- Импульсные источники питания (DC-DC преобразователи)
- Управление двигателями и электроприводами
- Инверторы и преобразователи
- Промышленная автоматика и силовая электроника.