Карбид кремния (SIC)
Устройства SiC обладают рядом привлекательных характеристик для высоковольтных силовых полупроводников по сравнению с широко используемым кремнием. Полупроводники из карбида кремния обеспечивают высокую скорость переключения, низкое прямое падение напряжения и температурную стабильность, что позволяет использовать их в различных областях применения с высокой мощностью и высоким напряжением. Предлагаемые нами SiC-барьерные диоды Шоттки и SiC МОП-транзисторы обеспечивают прочность, надежность и более широкую полосу пропускания, что делает их идеальными для систем возобновляемой энергетики и промышленной автоматизации.
Наш ассортимент продукции в сочетании с современной упаковкой (дискретной и модульной), а также средства защиты, обеспечивающие высокую надежность и безопасность, помогают разработчикам находить правильные решения для индивидуальных, высокоэффективных приложений, которые прослужат долгий срок службы.